三星展示64GB單條DDR4內(nèi)存，未來可輕松做到256GB
在2018年 OCP Summit開放計(jì)算峰會上，三星電子展示了一條容量高達(dá)64GB單條DDR4內(nèi)存，基于其最新的16Gb(2GB)顆粒，是面向主流服務(wù)器的RDIMM類型，并稱未來可以輕松做到單條256GB。 這條內(nèi)存是面向主流服務(wù)器的RDIMM類型，額定頻率2666MHz，電壓為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1.2V，顆粒制造工藝非常先進(jìn)但未具體披露(應(yīng)該就是10nm級別)，號稱功耗比此前的8Gb顆粒降低了20％。 三星表示，這條64GB單條DDR4內(nèi)存是雙Rank配置，正在繼續(xù)開發(fā)四Rank 128GB RDIMM、八Rank 256GB LRDIMM。 三星同時(shí)用Intel Xeon、AMD EPYC平臺展示了新內(nèi)存，而如果插滿256GB內(nèi)存條，單路總?cè)萘糠謩e可達(dá)3TB、4TB。 至于桌面領(lǐng)域，三星可以利用新的顆粒打造單條32GB UDIMM，這樣一套高端系統(tǒng)可以擁有256GB內(nèi)存，當(dāng)然價(jià)格會十分美麗?！ K海力士此前也曾經(jīng)宣告已經(jīng)完成了單Die 16Gb DDR4顆粒，同樣能夠造出256GB的內(nèi)存條。
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DDR4內(nèi)存 ? https://www.chinafix.com/zt/20735-1.html