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閃存/內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價格已開始上漲

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閃存/內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價格已開始上漲

  受日本地震、海嘯災(zāi)難導(dǎo)致東芝等企業(yè)晶圓廠停產(chǎn)等問題影響,3月14日本周一,現(xiàn)貨市場中的MLC NAND閃存芯片價格大漲20%,DDR3內(nèi)存芯片價格也上漲了7%左右。

  根據(jù)DRAMeXchange的統(tǒng)計,本周一16Gb和32Gb MLC NAND閃存芯片的價格分別上漲了16.75%和20.5%,達(dá)到4.67美元和6.06美元。MicroSD存儲卡的現(xiàn)貨價格更是單日上漲26%。有廠商預(yù)計,完整存儲卡形式的NAND閃存本周內(nèi)可能最高漲價50%。

  內(nèi)存方面,品牌和eTT 1Gb DDR3內(nèi)存顆粒價格周一分別達(dá)到1.11美元和0.97美元,相比上周五上漲7.2%和7.6%。市場普遍擔(dān)心,由于廠房受損、輪流停電、人員停工以及物流不暢等問題,日本的存儲芯片行業(yè)供應(yīng)將受到嚴(yán)重影響,迅速推高了閃存/內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格。

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