臺(tái)積電7nm量產(chǎn)情況與量產(chǎn)時(shí)間
近些年來(lái)芯片制程的進(jìn)化速度簡(jiǎn)直超出想象，在三星推出10nm制程后，臺(tái)積電也不甘示弱。消息顯示，今年第二季度首款采用7nm FinFET制程的芯片原型產(chǎn)品就將正式下線（即完成設(shè)計(jì)的最后步驟，送交制造）。而這款芯片的大規(guī)模量產(chǎn)將于2018年年初開(kāi)始，未來(lái)將會(huì)成為iPhone和iPad背后的超級(jí)大腦（A12芯片）。
臺(tái)積電7nm年初就量產(chǎn)在14/16nm工藝上落后于三星著實(shí)讓臺(tái)積電吃了悶虧，雖然三星的14nm工藝并沒(méi)有臺(tái)積電的16nmFF+工藝強(qiáng)悍，但半年的時(shí)間領(lǐng)先已經(jīng)足夠讓三星去游說(shuō)很多客戶了。好在蘋(píng)果的A9芯片沒(méi)有給臺(tái)積電丟臉，從各種續(xù)航測(cè)試來(lái)看的確將三星甩在身后。過(guò)去半年一直被壓著打的臺(tái)積電總算是翻身吐氣了，為了不重蹈覆轍，臺(tái)積電似乎要加速推送7nm工藝量產(chǎn)。
過(guò)去以及未來(lái)幾年，臺(tái)積電、三星都在新工藝上開(kāi)足了馬力，幾乎一年一個(gè)樣，比如三星就要連續(xù)推出8/7/6/5/4nm工藝。
臺(tái)積電也不甘示弱，聯(lián)合CEO魏哲家（CCWei）今天就公開(kāi)表示，臺(tái)積電將在2018年量產(chǎn)7nm，而且一年后再投產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)加持的新版7nm。
EUV技術(shù)是半導(dǎo)體領(lǐng)域多年來(lái)一直夢(mèng)寐以求的里程碑式技術(shù)，如果達(dá)成可以大大向前推進(jìn)摩爾定律，并大幅度提高產(chǎn)能，但該技術(shù)過(guò)于復(fù)雜，一再推遲，就連Intel也始終搞不定。
三星計(jì)劃在7nm工藝上首次使用EUV，時(shí)間點(diǎn)不詳，估計(jì)最快也得2019年，理論上和臺(tái)積電差不多。
魏哲家表示，臺(tái)積電的制造工藝主要面向移動(dòng)、高性能計(jì)算、汽車(chē)、IoT物聯(lián)網(wǎng)四大領(lǐng)域，其中現(xiàn)在的10nm主要針對(duì)移動(dòng)設(shè)備。
7nm工藝則可以同時(shí)適用于移動(dòng)設(shè)備、高性能計(jì)算和汽車(chē)領(lǐng)域，目前已有12款移動(dòng)芯片完成流片，適合汽車(chē)設(shè)備的版本會(huì)在明年達(dá)到AEC-Q100（Grade0）標(biāo)準(zhǔn)，面向高性能計(jì)算的版本也即將定型?！獡?jù)說(shuō)，AMD、NVIDIA都會(huì)使用臺(tái)積電7nm。
繼續(xù)往前，臺(tái)積電的5nm則主打移動(dòng)設(shè)備和高性能計(jì)算，以及2019年試產(chǎn)。
臺(tái)積電7nm性能功耗更牛基于10nm制程工藝的驍龍835處理器作為高通當(dāng)前的明星SoC，已經(jīng)有三星S8和小米6兩款旗艦機(jī)加持并發(fā)布，而且其屁股后面還有像HTCU、一加5、樂(lè)視、努比亞Z17等機(jī)型在排隊(duì)等著使用。
對(duì)于其產(chǎn)能問(wèn)題，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張仲謀表示在今年Q1已經(jīng)開(kāi)始全面出貨10nm的相關(guān)產(chǎn)品，鑒于此，筆者覺(jué)得有關(guān)驍龍835產(chǎn)能緊張的問(wèn)題將會(huì)逐步得到解決。
雖說(shuō)10nm制程工藝的良品率依然還在改善中，但現(xiàn)在比其更先進(jìn)的7nm制程工藝就華麗麗的曝光了。
根據(jù)晶圓代工廠龍頭老大臺(tái)積電的最新信息顯示，他們正在積極沖刺更先進(jìn)的制程技術(shù)，其中7納米制程已于今年4月開(kāi)始試產(chǎn)，并且于今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。而5納米制程預(yù)計(jì)2019年上半年試產(chǎn)，2020年大規(guī)模量產(chǎn)。
其實(shí)，這之前，在4月25日的臺(tái)積電公布的一份致股東的報(bào)告書(shū)中就顯示，7nm制程工藝將在2017年的4月份正式開(kāi)始試產(chǎn)工作，而且良品率也有著非常迅速的改善。
據(jù)筆者了解，基于10nm制程工藝的驍龍835，在集成了超過(guò)30億個(gè)晶體管的情況下，體積比基于14nm制程工藝的驍龍820還要小了35%，整體功耗降低了40%，性能卻大漲27%。
但相較于10nm來(lái)說(shuō)，7nm速度增快約25%，功耗也降低約35%，是一款全面升級(jí)的芯片，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，不管是性能還是功耗將會(huì)比之前有著更進(jìn)一步的提升。
臺(tái)積電7nm獨(dú)得今年蘋(píng)果A12代工訂單臺(tái)積電在蘋(píng)果等大客戶對(duì)7奈米制程需求強(qiáng)勁下，積極沖刺明年度7奈米量產(chǎn)腳步，預(yù)料將帶動(dòng)臺(tái)積電新一波成長(zhǎng)動(dòng)能。供應(yīng)鏈消息傳出，由于臺(tái)積電7奈米技術(shù)獨(dú)步同業(yè)，蓄勢(shì)待發(fā)，明年動(dòng)能看俏。臺(tái)積電預(yù)定本周四（7日）舉行供應(yīng)鏈管理論壇，是臺(tái)積電罕見(jiàn)在一年內(nèi)連續(xù)舉行二次供應(yīng)鏈管理論壇活動(dòng)，凸顯臺(tái)積電在30周年慶，對(duì)供應(yīng)鏈合作伙伴的重視。這次的供應(yīng)鏈管理論壇，仍由共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音擔(dān)綱進(jìn)行專(zhuān)題演說(shuō)，預(yù)料除宣布沖刺7奈米制程量產(chǎn)外，也將宣告5奈米試產(chǎn)及量產(chǎn)進(jìn)度，為臺(tái)積電明、后年再寫(xiě)營(yíng)運(yùn)高峰打下好基礎(chǔ)。臺(tái)積電上周受美系外資出具報(bào)告看淡明年?duì)I收成長(zhǎng)動(dòng)能，并調(diào)降評(píng)等影響，打擊臺(tái)股多頭士氣，市場(chǎng)冀望臺(tái)積電本周四登場(chǎng)的供應(yīng)管理論壇，能再度凝聚市場(chǎng)信心，讓臺(tái)積電重新扮演臺(tái)股多頭總司令。據(jù)了解，臺(tái)積電已拿下蘋(píng)果明年度新一代A系列行動(dòng)芯片獨(dú)家生產(chǎn)訂單，帶動(dòng)臺(tái)積電7奈米量產(chǎn)「未演先轟動(dòng)」。
業(yè)界解讀，臺(tái)積電此次將透過(guò)舉辦供應(yīng)鏈管理論壇，宣示沖刺10奈米制程產(chǎn)能及加速7奈米制程量產(chǎn)的決心。臺(tái)積電原先規(guī)劃，7奈米及7奈米+先進(jìn)制程，前者將在明年第2季進(jìn)入量產(chǎn)，而即將導(dǎo)入EUV技術(shù)的7奈米+制程，也將在明年進(jìn)入試產(chǎn)階段。在2018年底之前，包括7奈米及7奈米+先進(jìn)制程將會(huì)有50個(gè)設(shè)計(jì)定案臺(tái)積電下半年隨著為蘋(píng)果代工A11處理器放量出貨，營(yíng)運(yùn)強(qiáng)勁成長(zhǎng)，第3季繳出單季營(yíng)收2，521.07億元、每股純益3.46元，同創(chuàng)今年新高佳績(jī)，10月和11月都處于出貨高峰，預(yù)料今年全年合并營(yíng)收年增率可達(dá)8.8%，改寫(xiě)歷史新高，獲利可望同寫(xiě)新猷，明年在7奈米制程量產(chǎn)后，業(yè)績(jī)持續(xù)看增。臺(tái)積電本周四的供應(yīng)鏈管理論壇，主題仍沿用今年2月舉辦的「合作并創(chuàng)雙贏」，也是負(fù)責(zé)采購(gòu)業(yè)務(wù)的資深副總兼信息長(zhǎng)左大川明年2月退休前的「告別秀」，將由他擔(dān)任論壇開(kāi)場(chǎng)主持人。