嚴(yán)選三星DDR5 顆粒 ! 芝奇 DDR5 6000 C36 32GB 幻鋒戟RGB燈條套裝評(píng)測(cè)
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芝奇推出全新幻鋒戟 Z5 RGB DDR5 6000 C36 32GB 內(nèi)存套裝，嚴(yán)選三星DDR5 內(nèi)存顆粒，支持 XMP 3.0 內(nèi)存技術(shù)可運(yùn)行在 DDR5-6000 @ CL36-36-36-76 超低延遲，并且擁有出色的超頻能力，厚重的幻鋒戟鋁合金散熱片，頂端設(shè)有均勻的 ARGB 發(fā)光燈條，備有亮光銀與黯霧黑兩種配色可供選擇。
芝奇推出全新幻鋒戟 Z5 RGB DDR5 內(nèi)存系列，搶占追求高性能及超頻玩家市場(chǎng)，外觀較為時(shí)尚流線設(shè)計(jì)，頂端再加入均勻的發(fā)光燈條，備有亮光銀與黯霧黑兩種配色可供選擇，備有 DDR5-5200、DDR5-5600、DDR5-6000 與 DDR5-6400 頻率的 32GB 套裝可供選擇，廠方提供終身質(zhì)保。
這次收到評(píng)測(cè)為芝奇幻鋒戟Z5 RGB DDR5-6000 C36 32GB 套裝亮光銀色版本，黑色包裝盒并加入了銀色線條作點(diǎn)綴，中間一黑一銀的 Trident Z5 RGB 內(nèi)存本體，左下方著名是專為 Intel Core 處理器而設(shè)并支持 XMP 3.0 自動(dòng)超頻技術(shù)。
背面開窗設(shè)計(jì)能看到盒內(nèi)內(nèi)存的規(guī)格標(biāo)簽，右下角寫著 Made in Taiwan，這次收到的是 F5-6000U3636E16GX2-TZ5RS 型號(hào)，單單 DDR5-6000 速度就有 3 個(gè)不同的規(guī)范，從型號(hào)中可以看到規(guī)格差異，F(xiàn)5 代表 DDR5，6000 為速度，U 代表較佳 tRC 時(shí)序的型號(hào)，36 是 CAS延遲值、緊接 36 是 RAS to CAS 與 RAS Precharge 值、E 代表工作電壓為 1.30V，16GX2 代表 2 條 16GB ，TZ5R 代表 Trident Z5 RGB 型號(hào)，S 代表亮光銀。
相比上代 Trident Z RGB 比較方正的散熱設(shè)計(jì)，Trident Z5 RGB 則回到 Trident X 較為俐落鮮明的流線，銀色陽極化噴沙處理的鋁合金散熱片，加入了灰色線條作點(diǎn)綴，中間黑色金屬拉絲，白色字型號(hào)并用紅色將 Z 字突出，設(shè)計(jì)簡潔有力。
均勻的 ARGB 發(fā)光燈條
芝奇 Trident Z5 RGB 頂端設(shè)有發(fā)光燈條，內(nèi)置 5 區(qū) 10 顆 RGB 顆粒，帶來柔和勻稱的 ARGB 炫彩效果，支持四大板廠的燈光效控制技術(shù)，可以與主板廠進(jìn)行燈光同步。
DDR5-6000 CL36-36-36-76 @1.3V
此次收到廠方送測(cè)為 芝奇 Trident Z5 RGB DDR5-6000 CL36 32GB 套裝，型號(hào)為 F5-6000U3636E16GX2-TZ5RS，規(guī)格為 DDR5-6000 CL36-36-36-76 2T，工作電壓為 1.3V。
芝奇 Trident Z5 RGB D5-6000 CL36 32GB 內(nèi)存套裝模組采用單面 8 顆三星顆粒，供電則采用 ANPEC APW8502C PMIC 方案，特別加入了高傳熱系數(shù)的散熱硅膠，提升內(nèi)存超頻穩(wěn)定性。
和上一代的區(qū)別 DDR4 供電放在主板上， DDR5 將它移到內(nèi)存PCB上，更短的距離能更好提升信號(hào)完整性及雜信，采用 ANPEC APW8502C PMIC 它將主板上的 5V 輸入轉(zhuǎn)化為 VDD、VDDQ、VPP 供電。
采用三星DDR5 顆粒
采用內(nèi)存顆粒的編號(hào)，開頭的 K 代表三星內(nèi)存、4 代表是內(nèi)存產(chǎn)品， R 代表 DDR5 內(nèi)存、 AH08 代表容量是 16Gb (2Gb x 8) 顆粒 ，緊接編碼為 6 代表 32 Banks 顆粒，V 代表工作電壓采用 PODL_11， vDD、vDDQ 工作電壓均為 1.1V 、 B 代表 Revision B-Die 顆粒。
后面“ BCQK ”的 B 代表 96 ball FBGA 顆粒，采用 Halogen & Lead Free 環(huán)保制程 Flip Chip 封裝， C 代表為正常商用顆粒之工作溫度范圍為 0oC ~ 85oC ，QK 代表其速度為 DDR5-4800 ，規(guī)格為 CL40-40-40 ， 廠方銅管篩選程序打造成 XMP 規(guī)格下 1.3V 工作電壓可運(yùn)作 DDR5-6000 C36 的內(nèi)存產(chǎn)品。
測(cè)試平臺(tái)采用華碩 ROG MAXIMUS Z690 APEX 主板配搭 Intel Core i9 12900K 處理器，操作系統(tǒng)為 Microsoft Windows 11，每一組內(nèi)存設(shè)置必要經(jīng)過 RunMemTest Pro* 測(cè)試鑒定才能當(dāng)測(cè)試成功。
采用三星 B-Die BCQK 顆粒，大家記得要先升級(jí)BIOS再玩啊，因?yàn)槌跗?Z690 的 BIOS 普通對(duì)三星顆粒并沒有太多優(yōu)化，要提升頻率變得相當(dāng)困難，但更新 BIOS 后要直上? DDR5-6600 CL36-36-36 @1.35V? 也沒問題，相當(dāng)夸張。
在不調(diào)整工作電壓下，1.3V 設(shè)置可以超至 DDR5-6400 CL36-36-36，并且完成 1 小時(shí)烤機(jī)，但要再上 DDR5-6600 需要加至 1.35V 電壓，要再上的話就要繼續(xù)加電壓，到了 DDR5-7000 需要更大幅放寬時(shí)序，建議大家以 DDR6-6400 CL36-36-36 @ 1.35V 為目標(biāo)。
小楊總結(jié)︰其實(shí)小楊收到這對(duì)芝奇 Trident Z5 RGB D5-6000 CL36 內(nèi)存已經(jīng)有一段時(shí)間，當(dāng)時(shí)單純要開 XMP 也會(huì)感到相當(dāng)困難，因?yàn)樽畛醺鞔蟀鍙S仍未對(duì)三星DDR5 顆粒進(jìn)行最佳化，現(xiàn)在已經(jīng)沒有這個(gè)問題了，三星DDR5 的特性就是比海力士有更低的時(shí)序，頻率相當(dāng)而且可以吸壓，非常好玩。