AMD自曝下一代顯卡大殺器：NVIDIA坐不住了！
NVIDIA麥克斯韋架構(gòu)高歌猛進(jìn)、攻城略地，AMD這邊如何招架？只能看下一代新顯卡了。從目前的跡象看，AMD仍會繼續(xù)改革GCN架構(gòu)，但也會有一些特殊技能。 根據(jù)此前各路消息，AMD這次會請出“HBM”(高帶寬顯存)，以立體堆疊的方式提升容量、性能并降低功耗，海力士都開始投入量產(chǎn)了。 根據(jù)預(yù)測，AMD下一代旗艦卡R9 390X將會擁有4096個流處理器，同時搭配4GB 1GHz HBM顯存，可提供4096-bit位寬、640GB/s帶寬，十分恐怖。當(dāng)然這些指標(biāo)猜測的成分非常大，最終不一定如此，但是以HBM的潛力，無疑可以做得相當(dāng)高。 現(xiàn)在，AMD系統(tǒng)架構(gòu)經(jīng)理Linglan Zhang的簡歷又曝光了更多相關(guān)秘密。 他的成就中有這么一條：“使用堆棧式HBM和硅中介層，開發(fā)了全球第一款300W 2.5D獨(dú)立GPU SoC?！? 信息量有點(diǎn)大，慢慢看。 首先，這再次確認(rèn)了AMD正在全力引入HBM技術(shù)，已經(jīng)毋庸置疑。 其次，所謂硅中介層(silicon interposer)是一種半導(dǎo)體封裝工藝，向立體堆疊邁進(jìn)但還只是個過渡技術(shù)，所以稱之為2.5D技術(shù)，與后邊的描述相對應(yīng)。 第三，300W，這意味著AMD新旗艦卡的功耗將超級大，肯定和麥克斯韋一樣，還是28nm工藝，未來等著直接邁向1xnm FinFET。 最后，SoC就是單芯片，這意味著AMD應(yīng)該是把HBM顯存直接封裝到了GPU芯片內(nèi)部，這肯定也是功耗比較高、核心規(guī)模較大的原因之一。 值得一提的是，NVIDIA此前也曾披露說，未來將會在顯卡上引入3D Memory堆疊顯存技術(shù)，看樣子可能也會與GPU核心整合到一起，但要到麥克斯韋之后的下一代架構(gòu)“帕斯卡”上才會實(shí)現(xiàn)，那就至少是2016年的事兒了。