美光 8G DDR4內(nèi)存簡介
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受到PC產(chǎn)業(yè)衰退以及DRAM大虧的影響，所以DDR4推動的速度極為緩慢，但在個人電腦逐漸恢復(fù)成長以及隨著Intel Haswell-E的上市，記憶體方面也跟著進(jìn)入新的里程碑，來到了DDR4的劃時代領(lǐng)域。在世代交替的初期，大家都會試著探討、了解到底新的DDR4擁有著怎樣的魅力?。恳黄痦考兇吧?/p>
其實最先送來測試的就是美光DDR4，后續(xù)才有再碰到其他款記憶體，例如海I統(tǒng)治者DDR4-3200等，不過都是來匆匆去匆匆。今天測試的是單條Crucial 8G DDR4-2133，一并送來兩條，剛好雙通道。
先來看記憶體的演化進(jìn)程。由DDR到DDR4，從DDR基本的2.5電壓到DDR3的1.5V，中途也出過1.35V低電壓版，到現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)化到DDR4的1.2V電壓，根本已經(jīng)對半折扣了。
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但是記憶體時}與容量卻是反向的倍數(shù)成長；從DDR-266 128M，到Mick剛接觸電腦的DDR2-400 256M，DDR3-1066，現(xiàn)在的DDR4-2133。其中DDR2到DDR3其間的周期也是拖得虺げ拍苡寫吮硐鄭雖然DDR4躍上幅度并非史上最大，不過各廠3200MHz記憶體已經(jīng)陸續(xù)出籠，相信再不久3333MHz以上也會逐漸上市的。
這張圖更細(xì)部說明了DDR4的細(xì)部進(jìn)展，首先是更低功耗的使用，對于移動性產(chǎn)品的耐久性更得到了保障，相同的溫度上也進(jìn)展到更低溫的表現(xiàn)。再來，DDR4預(yù)期上看可達(dá)每秒2.1GHz的記憶體r}，這是非常驚人的速度??！因為已經(jīng)是DDR3的翻倍了。
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而現(xiàn)DDR4的單顆容量來到4Gb，未來可見DDR4單顆顆粒達(dá)_8Gb，上看單條則為16GB容量，看來Ramdisk 是越碓餃菀狀锍閃?？磥砀鶶SD的大跌價可能有間接關(guān)系XD！
對于記憶體上的標(biāo)簽，將規(guī)格注明了單條為8GB 容量，DDR4-2133頻率，額定電壓1.2V。另一邊則是2R X8顆粒(共16顆粒)，PC4-2133P-UBZ-10的頻率規(guī)格。
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手邊剛好有DDR3-1600 記憶體拿來做比較。金手指防呆位置明顯不同外，金手指Pin膠密度也明顯增加，DDR4 為288Pin，而本來的DDR3只有240Pin。
可以看到同樣是2R X8顆粒，但DDR4的顆粒硬是大上一些，排列上也采4模組分區(qū)塊，較DDR3的排列密度來得高。
兩側(cè)的防呆也略有不同，所以也扣不下去。DDR4的邊角有稍做原潤修邊，據(jù)說是為了更好插拔而設(shè)計，而Mick在多次插拔測試下到是覺得還好啦！見仁見智櫻
? ? ? ?目前也僅有X99平臺能上DDR4櫻〔還Mick 用的AIDA64 應(yīng)該版本太舊，處理器方面]辦法完整列出規(guī)格。采用的是Haswell-E i7-5960X 八核處理器，未超頻預(yù)設(shè)3.0GHz、FSB 100MHz、30倍頻。記憶體方面FSB Ratio 32:3，時序為15-15-15-36 CR2。跑出來分?jǐn)?shù)差強(qiáng)人意，但比上DDR3 已經(jīng)有段差距，不曉得是不是Mick太嚴(yán)苛了！
記憶體正式進(jìn)入DDR4 的時代，雖然目前還只有頂A家用平臺X99才用得上，但是其記憶體的效能提升、降低的電壓以及越趨增大的容量，相當(dāng)適合行動運算的使用，顯示其嶄露頭角的規(guī)模會是更全方位的，相信明年即將很快就能加速進(jìn)入主流級產(chǎn)品的定位，當(dāng)然屆時若售價能再更親民些，進(jìn)度一定會更快些，你說是不是咧！
架上目前已經(jīng)鋪貨有多款規(guī)格，并且連同8GB 款也已經(jīng)上架，若朋友們有期待其他規(guī)格的記憶體，也歡迎多給我們意見??！^^
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