AMD主板硬盤性能弱？Ryzen平臺要有改觀了
有個關(guān)于硬盤性能的說法由來已久：AMD主板芯片組磁盤性能比Intel平臺差。這個說法在添加了對NVMeSSD原生支持的Ryzen平臺上依舊成立嗎？有外媒對此進行了測驗，測驗平臺為GIGABYTEAorus AX370-Gaming 5主板搭配Ryzen 7 1800X。 測驗的SSD有兩款，分別是電腦IE接口NVMe協(xié)議的SAMSUNG960Evo和SATA接口AHCI協(xié)議的SAMSUNG750Evo，二者都是TLC閃存SSD中跑分較高的型號。 首先是SAMSUNG960Evo在AMD Ryzen與Intel平臺上的性能對比：無論是持續(xù)讀取還是隨機讀取性能Intel平臺表現(xiàn)都遠高于AMD Ryzen平臺。 電腦 Mark 8存儲性能測驗也驗證了這一點：AMD平臺下安裝SAMSUNGNVMe驅(qū)動，電腦 Mark 8存儲測驗評分5051，僅有NVMeSSD的中等水平。 而在Intel平臺上SAMSUNG960Evo配以SAMSUNGNVMe驅(qū)動可以跑出5082分的成績。外媒的測驗中沒有驗證微軟默認NVMe驅(qū)動下的差異，也有可能是SAMSUNG驅(qū)動僅對Intel平臺做了優(yōu)化。 AMD銳龍的延遲還是比Intel要高，這是落后的主因。延遲是不能通過核心和線程數(shù)量來彌補的。對于SSD其實也是一樣，持續(xù)讀寫帶寬可以比較容易的通過RAID來倍增，但延遲沒辦法通過簡單手段降低。 用SAMSUNG750Evo測驗的SATASSD性能結(jié)果也與NVMe相似，Intel平臺有較為顯著的優(yōu)勢。不過這里由于Intel平臺運用了RST驅(qū)動，AMD平臺卻只能運用微軟Win 10默認驅(qū)動，比較起來有所不公。 總的來說Ryzen平臺相比AMD過去主板的硬盤性能已有不小的提升，和Intel的差距不再像過去那樣顯著，家用運用體驗上不會有什么感覺。硬盤跑分除了和硬盤自身能力有關(guān)之外，提升處理器頻率也能在一定范圍內(nèi)提升跑分成績，而核心和線程數(shù)量對跑分的影響相對要小一些。