東芝/閃迪15nm閃存探析：這存儲密度 老牛X了
東芝日前展示了他們和閃迪聯(lián)合開發(fā)的15nm NAND閃存，但是對于核心面積、存儲密度等關(guān)鍵參數(shù)只字未提，AnandTech于是進行了一番探索，結(jié)果相當震驚。 結(jié)合晶圓尺寸經(jīng)過估算，東芝/閃迪15nm 128Gb(16GB)閃存顆粒的面積為139平方毫米，相比于美光16nm小了足足20％，對比美光20nm更是小了超過31％。 存儲密度也就很容易得出了：0.92Gb每平方毫米。這已經(jīng)十分逼近三星堆疊了24層的同容量顆粒，甚至超過了第一代的32曾堆疊(86Gb)，也創(chuàng)下了平面閃存的最新記錄，比此前美光16nm提高了足足24％。 東芝和閃迪要到2016年初才會進入3D閃存時代，原因就不言自明了：15nm工藝都可以如此有效地縮小面積、提高密度，干嗎要急著3D？ 目前官方還沒有公布詳細的架構(gòu)圖，所以不知道東芝/閃迪究竟用了什么方法才有如此高校的成果。 東芝/閃存15nm閃存正在開始加緊量產(chǎn)，相關(guān)固態(tài)硬盤產(chǎn)品會在第四季度推出。
Q:東芝和閃迪聯(lián)合開發(fā)的 15nm NAND 閃存的面積是多少？
A:東芝/閃迪 15nm128Gb(16GB)閃存顆粒的面積為 139 平方毫米。
Q:該閃存的存儲密度是多少？
A:存儲密度為 0.92Gb 每平方毫米。
Q:與美光 16nm 的閃存相比，面積小了多少？
A:相比于美光 16nm 小了足足 20％。
Q:與美光 20nm 的閃存相比，面積小了多少？
A:對比美光 20nm 更是小了超過 31％。
Q:東芝和閃迪何時進入 3D 閃存時代？
A:東芝和閃迪要到 2016 年初才會進入 3D 閃存時代。
Q:東芝和閃迪不急著進入 3D 閃存時代的原因是什么？
A:15nm 工藝都可以如此有效地縮小面積、提高密度，所以不急著進入 3D 閃存時代。
Q:目前官方公布了詳細架構(gòu)圖嗎？
A:目前官方還沒有公布詳細的架構(gòu)圖。
Q:東芝/閃存 15nm 閃存何時量產(chǎn)？
A:東芝/閃存 15nm 閃存正在開始加緊量產(chǎn)。
Q:相關(guān)固態(tài)硬盤產(chǎn)品何時推出？
A:相關(guān)固態(tài)硬盤產(chǎn)品會在第四季度推出。